В маслостойком корпусе

BJR3M-PDT-W-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR3M-PDT-W-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR3M-PDT-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR3M-PDT-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR3M-PDT-C-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR3M-PDT-C-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR1M-DDT-W-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR1M-DDT-W-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR1M-DDT-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR1M-DDT-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR1M-DDT-C-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR1M-DDT-C-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR15M-TDT-W-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR15M-TDT-W-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR15M-TDT-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR15M-TDT-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR15M-TDT-C-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR15M-TDT-C-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR10M-TDT-W-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 10м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR10M-TDT-W-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 10м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR10M-TDT-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 10м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR10M-TDT-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 10м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR10M-TDT-C-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 10м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR10M-TDT-C-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 10м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR100-DDT-W-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR100-DDT-W-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR100-DDT-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR100-DDT-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR100-DDT-C-P-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR100-DDT-C-F Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслостойкий компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, Разъём М8, Uпит. 12…24В=, IP67F

BJR3M-PDT-W-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR3M-PDT-W Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR3M-PDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR3M-PDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), рефлекторный (поляризационный фильтр), положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 3м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR1M-DDT-W-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR1M-DDT-W Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR1M-DDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR1M-DDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, красный LED (660нм), расстояние срабатывания: 1м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR15M-TDT-W-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR15M-TDT-W Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR15M-TDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR15M-TDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), на пересечение луча, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 15м, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR100-DDT-W-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR100-DDT-W Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель с разъёмом М12 (Ø4мм, 0.3м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR100-DDT-P Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, PNP с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67G

BJR100-DDT Фотоэлектрический датчик высокопроизводительный маслонепроницаемый компактный прямоугольный 11х32×20мм, материал корпуса: пластик (АБС), диффузный, положение излучателя/приемника фронтальное, инфракрасный LED (850нм), расстояние срабатывания: 100мм, время срабатывания: 1мс, регулировка чувствительности: есть, NPN с открытым коллектором, на свет / на затемнение, таймер - нет, кабель (Ø4мм, 2м), Uпит. 12…24В=, IP67G